韩国800万亿韩元扩产存储芯片，华尔街怎么看？

华尔街如何看韩国800万亿扩产 BlockBeats 消息，6 月 30 日，韩国政府正试图把人工智能带来的存储芯片需求，转化为一场新的国家产业扩张。 在最新产业规划中，总统李在明表示，韩国必须加快芯片生产设施建设。现有半导体园区在水资源和基础设施方面已接近承载极限，政府未来将把西南地区作为扩大供应能力的重点。根据规划，韩国预计将在西南地区建设四座芯片制造工厂，总投资约 800 万亿韩元，并在未来 15 年向下一代存储器、边缘 AI、国防等半导体领域至少投入 30 万亿韩元。 这一计划公布之际，全球 AI 服务器建设正在推高存储芯片需求。韩国政府预计，未来五年全球存储芯片市场规模将增长约四倍，并设定目标，在同一时期内将 DRAM 产能翻倍，同时提升韩国在人形机器人全球市场中的份额。 华尔街的最新研报显示，这种扩张并非单纯的政策口号，而是与存储行业正在经历的供需紧张相互呼应。高盛在 6 月 30 日的 DRAM 情绪报告中称，6 月存储市场情绪维持「中度积极」。DDR5 现货价格自 5 月初以来上涨约 20%，较 5 月合约价高出约 25%；DDR4 同期上涨约 11%，较合约价溢价约 45%。韩国 5 月 DRAM 出口额再创新高，同比上涨 370%，反映美国和中国大型科技客户需求仍然强劲。 AI 服务器是这轮变化的核心。高盛指出，台湾服务器 ODM 厂商 5 月收入同比增长 53%，Aspeed 收入同比增长 69%，显示机架级 AI 服务器和 ASIC AI 服务器出货继续增加。更关键的是 HBM，高盛已将三星电子 2027 年 HBM 价格增长预测从 14% 上调至 44%，并认为在供需持续偏紧的情况下仍有上行空间。 摩根大通则把韩国政府、三星和 SK 的计划称为「超级投资时代」的开端。该行估算，相关长期投资合计约 4,755 万亿韩元，约合 3.1 万亿美元，其中大部分可能流向前道晶圆设备、洁净室、基础设施和先进封装。对韩国而言，这不仅是扩产，也是一次地理和产业结构重排：当龙仁等既有集群面临水、电、土地和基础设施约束，西南地区将被推向下一阶段半导体版图中心。 三星电子的计划进一步说明了这一方向。高盛另一份报告显示，三星计划在 2026 年至 2040 年间在韩国投资 2,450 万亿韩元，其中约 2,100 万亿韩元用于半导体，包括龙仁项目、光州新晶圆厂，以及忠清地区 HBM 后道和先进封装设施。高盛认为，若把研发支出计算在内，这一规模隐含的长期年增长率约为 5% 至 6%，并不算过度激进。 不过，存储繁荣也正在制造新的摩擦。摩根大通提到，存储价格快速上涨已引发客户不满，Apple 与 Micron 的价格争议以及美国消费者针对主要 DRAM 厂商的诉讼，显示市场开始担心利润分配过度偏向供应商。换言之，AI 让存储芯片重新获得战略溢价，也让终端客户面对更高成本。 这正是韩国新规划的背景：AI 时代的瓶颈不只在 GPU，也在 DRAM、HBM、电力、水资源、封装和工厂选址。韩国正在用大规模投资押注一个判断：存储芯片将从周期性零部件，变成 AI 基础设施中的战略资产。市场现在要判断的是，这场扩产会巩固韩国在 AI 硬件链中的地位，还是为下一轮供给过剩埋下伏笔。 原文链接 https://m.theblockbeats.info/flash/353822