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SK海力士Q3营收破百万亿韩元,HBM产能售罄至2029年

需求是供应的两倍!SK海力士电话会:DRAM和HBM产能售罄至2029年,明年资本开支将“大幅增加”

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AI算力产业链最上游存储厂商的业绩与供需指引,直接印证HBM短缺程度及行业景气度,是判断AI基础设施投资趋势的核心一手数据。

AI内存超级周期进入新阶段!SK海力士三季度营收历史性突破百万亿韩元,管理层在电话会议上宣告当前AI内存需求火爆导致“客户需求是供应量的两倍”,其核心HBM和DRAM产能更是通过长期协议“在2029年之前实际上已全部售罄”。

10月28日,SK海力士在2026年三季度业绩发布会上交出了一份历史级成绩单——单季营收首次突破100万亿韩元,营业利润率攀升至80%的历史峰值。更关键的是,管理层在电话会上明确表示:结合长期供应协议(LTA)锁定量和正在洽谈中的客户需求,“我们DRAM和HBM未来三年(截至2029年)的产能实际上已全部售罄”,而“客户的采购需求量超出我们当前供应能力的两倍以上”。

与此同时,比起后视镜里的惊艳业绩(营收104.62万亿韩元,营业利润83.33万亿韩元),市场与投资者更关注的是这场AI盛宴的可持续性。面对外界对AI变现能力及资本支出节奏的担忧,SK海力士管理层在电话会中抛出了极其强劲的前瞻指引:公司的商业模式正在从传统的“周期性波动”转向基于长期协议的“高可见度确定性增长”。

正如公司CEO 在电话会结尾总结的那样:

"我们已经连续六个季度创下历史纪录,但我们认为更重要的是底层商业环境正在发生改变。我们通过技术领导力建立的客户信任,正在转化为长期协议,赋予我们更强的中长期需求可见度,以及更坚实的持续盈利基础。这意味着,一个有别于过去的新增长阶段,正在通过商业结构的具体变化得以显现。"

SK海力士全天高开高走,在财报公布之后更是进一步扩大涨幅,盘中一度涨超11%,收盘涨10.89%。韩国KOSP指数收盘涨超6%。

“需求是目前供应量的两倍”,未来三年产能已实质性售罄

本次电话会中最令市场振奋的增量信息,无疑是SK海力士长达数年的订单能见度。

管理层透露,目前,SK海力士已与包括全球主要云服务提供商(CSP)在内的14家核心客户签署了长期供应协议(LTA),协议通常为五年期,并正在与部分客户探讨延长合同期限。LTA锁定的供应量已占2027年和2028年总产能的50%以上,并计划在中长期维持这一比例。

LTA定价结构设有与客户协商一致的价格区间,并纳入定金等保障机制,以确保客户采购计划转化为实际订单和出货,同时支撑公司稳定盈利并捕捉市场价格改善机遇。

在回应高盛分析师Giuni Lee关于LTA意义的提问时,SK海力士管理层给出了迄今最清晰的供需判断:

"LTA已锁定的供应量,加上目前正与客户洽谈中的需求,意味着我们未来三年截至2029年的DRAM和HBM产能实际上已全部售罄(effectively sold out)。洽谈中的量基于客户具体采购计划,兑现概率极高。"

在回应HBM需求可持续性时,管理层进一步给出量化表述:

"需求如此旺盛,客户的采购需求量超出我们当前供应能力的两倍以上(more than double that of what we can supply today),这也印证了客户对我们产品持续强烈的偏好。"

供给缺口看至2030年,2027年资本开支将“大幅增加”

SK海力士首席财务官Woo Hyun Kim在展望中给出了多项具体预测数字:

  • 全球CSP资本开支2027年预计增长超过60%,已锁定电力容量同比增长超过100%;
  • 全球AI数据中心基础设施市场预计到2030年保持40%的年均增长率;
  • 2027年DRAM市场可实现需求增速约20%中段(mid 20%),NAND约10%高段(high 10%);
  • 2027年公司绝对营收和利润预计均将达到"显著更高的水平";
  • 2027年资本开支将较2026年显著增加,用于先进制程设备投入、龙仁(Yongin)第一座晶圆厂投产以及国内外基础设施加速建设。

管理层同时强调供给端约束的结构性:"由于先进制程实施难度不断上升,以及新建产能所需的建设周期,供不应求的格局预计将持续至2030年。"

为了应对这种长期结构性短缺,SK海力士对未来的产能扩张给出了明确指引:“随着我们投资于先进制程设备、龙仁第一座晶圆厂的产能爬坡,以及国内外基础设施投资的加速,我们预计2027年的资本支出将较2026年大幅增加。”

对于供应过剩风险,管理层表态审慎:

"更多投资、更多晶圆厂,并不等于更多供应。随着HBM等高性能产品占比提升,制程日益复杂,生产所需资源增多,但靠更精细制程来提升位元产出已越来越受限。"

部分大客户将HBM从12层降到8层?“不会影响我们的生意”

针对市场热议的“部分大客户将HBM从12层降至8层”是否会影响公司业绩的担忧,SK海力士在电话会上给出了明确的硬核回击。

华尔街见闻文章此前写道,媒体爆料称,为缓解供应链压力,英伟达悄然下调HBM4带宽指标,并将12层堆叠降级至8层混配。

对此,管理层指出,这种规格调整恰恰是“需求远超供应”的真实写照:“由于HBM供应依然受限,客户需要用有限的数量构建更多的AI加速器和系统。因此,我们将降低堆叠层数视为一种策略,即在相同总容量下获取更多的Cube(封装体)。”

管理层进一步解释,层数降低并不必然导致HBM容量需求等比例下降:

"即便从12层HBM4降至8层HBM4E,每颗die容量的提升可以抵消相当大一部分影响。因此,即使考虑此类调整,我们对中长期HBM需求的展望也没有改变。"

更关键的是,层数的减少并不会削弱SK海力士的生意。管理层解释称:“提供相同比特容量但层数更低的产品,需要更多的Cube,这反过来增加了对基础裸片(base dies)和后道工序的需求。我们已经将此纳入生产和供应计划。”

管理层强调:“盈利能力并非单由层数决定,而是由每个产品的交易条款、产品组合、良率、后道生产效率和成本综合决定。”明年HBM4占比和价格将提升,量产良率和成本竞争力将进一步改善,预计HBM营收和利润将同比大幅增长,“从盈利角度看,远高于过去周期的峰值水平”。

四季度指引:HBM4超越HBM3E,DRAM出货环比增长约25%

SK海力士首席财务官Woo Hyun Kim披露,四季度公司将进一步加速扩产以主动应对市场需求:

DRAM:1c纳米制程扩产与M15X产线的HBM4增产将同步推进,四季度出货量预计环比增长"约25%(mid 20%)"。传统DRAM方面,将快速提升服务器1c纳米产品占比,并扩大1c纳米DDR5和AI服务器LPDDR5 SOCAMM销售。

HBM4: "12层HBM4按照与主要客户商定的时间表顺利出货;M15X年底前达满产。" 四季度HBM4预计在HBM总出货量和营收占比上均将超越HBM3E,成为旗舰产品。公司已与主要客户敲定明年HBM供应量和价格,"如实反映了HBM4的产品价值提升,HBM与通用DRAM之间的盈利能力差距预计将显著收窄"。

NAND: 四季度位元出货预计环比增长"mid-single percent(约5%)";321层工艺占韩国本土产能比例将扩大至50%以上,扩大321层企业级SSD供应;同步拓展适用于KV Cache分层的高性能、高密度企业级SSD供应。

公司还透露,在下一代产品方面,HBM4E已于二季度完成样品出货,研发和客户认证正按照客户时间表推进;同时正与主要客户在定制化HBM(Custom HBM)项目上紧密合作。

另外,在向市场展示未来数年极高盈利确定性的同时,SK海力士抛出了一份规模空前的股东回报计划,以此对冲高额资本支出可能引发的自由现金流担忧。

公司宣布,2026财年计划合计向股东返还约100万亿韩元(包含逾30万亿韩元现金分红及逾60万亿韩元股份回购与注销)。其中,第三季度派息20,000韩元/股中,有一半(10,000韩元)是源自对日本铠侠(Kioxia)投资收益的“特别股息”。

管理层表示:

“我们认为目前的股价被低估了,没有充分反映我们的盈利和现金流。”

SK海力士2026年Q3财报电话会议全文实录如下(由AI辅助翻译):

公司参会人员

Kwak Noh Jung,总裁兼首席执行官

Seong Hwan Park,投资者关系负责人

未具名发言人

Woo Hyun Kim,副总裁兼首席财务官及财务负责人

其他参会人员

Dong-Hee Han,SK证券

Giuni Lee,高盛

Jay Kwon,摩根大通

Peter Lee,花旗集团

Simon Woo,美国银行

Sunwoo Kim,Meritz证券

Young-ho Ryu,NH投资证券

Youngjin Kim,未来资产证券

陈述内容

操作员:

早上好,感谢参加SK海力士财报发布电话会议。今天,我们将首先进行SK海力士的财报演示,随后进行问答环节。(主持人说明)请注意,演示部分将进行同声传译,问答环节将进行交替传译。现在,我们准备开始。

Seong Hwan Park:

早上好、下午好、晚上好。我是SK海力士投资者关系负责人 Park Seong-Hwan。 欢迎参加SK海力士2026年第三季度财报发布电话会议。请允许我介绍今天与我一同出席的高管。出席本次会议的有:总裁兼首席执行官 Kwak Noh Jung;首席财务官 Kim Woo-Hyun;DRAM营销负责人 Park Jun-Deok;NAND营销负责人 Song Chang-Seok;以及HBM销售与营销负责人 Kim Ki-Tae。

请允许我发表免责声明:本次电话会议中所包含的第三季度业绩为合并数据,且为初步数据,外部审计师的审阅工作尚未完成,因此相关数据仍可能发生变动。此外,包括市场展望及公司计划在内的前瞻性陈述,可能会因宏观经济及市场环境的变化而有所调整。

接下来,我们正式开始SK海力士2026年第三季度财报发布电话会议。在财报演示开始之前,首席执行官 Kwak Noh Jung 将首先就Solidigm IPO及股东回报事宜发表讲话。随后,首席财务官 Kim Woo-Hyun 将就第三季度业绩、公司未来计划及市场展望进行演示。

Kwak Noh Jung:

大家早上好。我是首席执行官 Kwak Noh Jung。在近期市场波动加剧的环境下,感谢各位股东对SK海力士始终如一的关注与信任,在此致以最诚挚的谢意。今天,我想直接向各位股东说明我们关于Solidigm IPO的决定——这一问题近期已引发市场的广泛关注——以及我们通过特别股息与股东共享战略投资回报的相关安排。

首先,Solidigm一直在探索融资方案,以支持扩大生产规模、满足需求增长等战略举措。在所考虑的各项方案中,通过IPO引入外部资本,原本有望减轻我们的投资负担,并提升我们对股东的回报能力。然而,在综合考量近期金融市场的波动以及半导体股票的调整行情后,Solidigm认为,目前推进IPO无法充分实现预期效益,因此决定终止对Pre-IPO及IPO方案的评估工作。

Solidigm将继续深化自身竞争力,积极把握AI数据中心存储市场的增长机遇。为支持上述目标所进行的投资与融资安排,将以提升Solidigm与SK海力士双方企业价值及股东价值的方式稳步推进。我们始终坚守将战略投资大部分回报与股东共享的原则。 通过将这些回报用于补充因未来持续投资而可能阶段性下降的股东回报能力,我们旨在切实保护股东利益,同时持续大胆投入,推动可持续增长。

秉承这一原则,我们计划将今年从铠侠(Kioxia)投资中实现的收益,以特别股息的形式回馈给股东。我们将坚定履行这一承诺,确保股东能够直接分享我们战略投资成功所带来的成果。

接下来,首席财务官将向各位汇报本季度的业绩与展望,以及股东回报计划的具体细节。谢谢。

Woo Hyun Kim:

大家早上好,我是首席财务官Woo Hyun Kim。首先,请允许我介绍公司2026年第三季度的业绩情况。第三季度,由于AI存储器需求持续增长,供需关系依然紧张,存储器价格维持高位。DRAM和NAND均连续第二个季度录得较高涨价幅度,主要受HBM、服务器DRAM以及企业级SSD价格持续上涨的带动。

因此,第三季度营收环比增长32%,同比增长328%,达到104.6万亿韩元。这是季度营收首次突破100万亿韩元,创历史新高。 在DRAM方面,我们以AI服务器为中心扩大销售,按计划实现了约10%的环比比特出货量增长。特别是HBM4已于第三季度正式开始量产和出货。此外,服务器DDR5的出货量较第二季度增长超过40%,推动了DRAM整体比特出货量的增长。

受传统DRAM价格持续强劲,以及售价高于上一代产品的HBM4销售占比扩大的影响,DRAM平均售价(ASP)上涨了约20%的高位,录得与上一季度相近的高增长率。 在NAND方面,虽然我们调整销售策略,聚焦于321层TLC企业级SSD等高附加值产品,导致比特出货量较第二季度略有下降,但由于整体价格强劲以及SSD销售占比扩大,ASP上涨了约20%的中位水平。

尽管受韩元走强带来的不利汇率影响,但产品价格上涨以及高附加值产品销售扩大,使第三季度营业利润达到83.3万亿韩元,环比增长38%,同比增长632%。营业利润率环比提升3个百分点,达到80%,营业利润和营业利润率均创下季度历史新高。

第三季度,折旧及摊销费用合计4.3万亿韩元。EBITDA达到87.7万亿韩元,EBITDA利润率为84%。 在主要非经营性项目方面,受汇率下跌影响产生外汇相关净损失11.6万亿韩元,以及投资资产估值损失22.9万亿韩元,非经营性费用合计32.6万亿韩元。因此,税前利润为50.7万亿韩元,净利润为39.8万亿韩元,净利润率为38%。

截至第三季度末,现金及现金等价物为114.5万亿韩元,较上季度末增加26.5万亿韩元。 有息负债减少2.8万亿韩元至15.8万亿韩元。由此,净现金扩大至98.7万亿韩元,债务权益比较上季度末改善2个百分点至5%。

接下来,我将介绍市场展望。AI市场正在不断演进。 随着AI在软件开发、客户响应、搜索等各领域推动生产力提升和新收入来源的产生,AI使用量的增加进一步促进了基础设施投资,形成良性循环。这一变化在全球主要云服务提供商(CSP)的投资规模和已获批电力容量中有所体现。根据市场调研机构的最新预测,2027年全球CSP资本支出预计将增长超过60%,已获批电力容量也预计同比增长超过100%。 更值得关注的是,这一增长不会止步于明年。受AI服务商业化及应用领域扩展的驱动,全球AI数据中心基础设施市场预计将以每年约40%的高复合增长率持续增长至2030年。 这一中长期增长趋势预计将持续下去。

特别是,随着AI规划复杂任务并借助多种工具长时间执行,AI的算力需求以及数据的生成、传输和存储量正在急剧增加。 因此,整个存储器行业的需求增长幅度已大幅超出初始预期。AI基础设施投资正在从最初少数玩家抢先布局的阶段走向更广泛的企业和各国政府参与的阶段。因此,即便考虑到部分潜在的投资调整,我们预计AI基础设施投资的增长仍将保持强劲势头。

短期内,企业级AI和个人AI预计将引领需求增长;中长期来看,自动驾驶和机器人等实体AI预计将进一步拓宽需求范围。 虽然受存储器价格上涨带来的成本压力和供应短缺影响,PC和移动设备的出货量预计将有所下降,但AI基础设施需求的增长预计将足以弥补这一下滑,整体存储器市场将维持增长态势。

另一方面,存储器供应难以跟上如此高速的需求增长,因此我们预计近期内难以完全满足客户的量需求。 鉴于先进制程实施的复杂性以及新建产能所需的建设周期,供应跟不上需求的局面预计将持续一段时间,这一供应瓶颈预计将延续至2030年。

尽管需求旺盛,但考虑到实际供应状况,2027年可实现的需求增长预计与今年相近,DRAM增长率约为20%的中位水平,NAND约为10%的高位水平。 我们预计这一有利的市场环境将成为支撑公司明年业绩增长的坚实基础。基于扩大的产能和高附加值产品竞争力,我们计划在营收和利润的绝对值上均实现大幅提升。

接下来,我将介绍公司第四季度销售计划及未来运营方向。第四季度,我们计划进一步加快供应扩张,更加积极地响应市场需求。 首先,在DRAM方面,1c纳米制程扩产带来的产量提升,以及通过M15X产能爬坡增加HBM4产量,将同步推进。因此,第四季度出货量预计将环比大幅增长约20%的中位水平。 在传统DRAM方面,我们正在快速提升面向服务器应用的1c纳米产品占比。第四季度,我们计划通过扩大1c纳米DDR5和AI服务器LPDDR5 SOCAMM的销售,进一步强化以高附加值服务器产品为核心的产品组合。

我们12层高HBM4的出货正在按照与主要客户商定的时间表顺利推进。为积极响应客户需求的激增,我们正在加快M15X产能爬坡,计划于年底前达到满产。 因此,第四季度HBM4预计将在HBM总出货量占比和营收占比上均超越HBM3E,成为我们的旗舰产品。

公司已与主要客户完成明年的谈判,包括HBM的数量和价格。这些谈判充分体现了HBM4产品价值的提升。因此,我们预计HBM与传统DRAM之间的盈利差距将显著收窄。 在NAND方面,第四季度我们计划将旗舰321层制程占国内产能的比例扩大至50%以上。通过这一举措,我们将扩大321层企业级SSD的供应,第四季度NAND比特出货量预计将环比增长中个位数百分比。

在供应扩张的基础上,我们计划进一步拓展NAND在AI基础设施市场中的角色和商业机会。我们将扩大适用于KV Cache分层的高性能、高密度企业级SSD的供应。中长期来看,通过HPF和系统优化技术,我们致力于将NAND演进为提升AI服务吞吐量和成本效率的核心解决方案。

为提升中长期需求的可见性并奠定稳定增长基础,我们正在持续扩大与客户的长期协议(LTA)。迄今为止,我们已与包括全球主要CSP在内的14家重要客户签署了LTA。 虽然LTA通常以五年为基础,但我们正在主动与部分客户探讨延长现有合同期限。客户基于我们的产品路线图和供应能力寻求更长期合作的事实,表明LTA正在演变为强化客户关系和业务连续性的重要机制。

定价结构因客户和产品而异,但总体上设计为在与客户商定的价格区间内反映市场状况。此外,为确保客户的采购计划切实转化为实际订单和出货,我们加入了定金等保障条款。这一结构不仅有助于我们保持稳定盈利,也使我们能够通过反映市场价格和产品价值的改善来把握市场上行机会。

LTA所锁定的数量目前已占我们2027年和2028年总产能的50%以上,为中长期利润稳定性和需求可见性奠定了基础。 与此同时,为响应客户中长期需求及增长机会,我们正在持续推进扩大产能的投资。随着先进制程占比提升的设备投资、龙仁首座晶圆厂的产能爬坡,以及国内外基础设施投资的加速推进,预计2027年资本支出将较2026年大幅增加。 投资规模和执行时机将综合考虑通过客户沟通所获得的中长期需求可见性、产品竞争力、盈利能力及投资效率后确定。

最后,请允许我说明股东回报计划。去年8月,我们宣布了包括40万亿韩元股份回购及注销在内的股东回报计划,并表示将在第三季度业绩说明会上提供额外股东回报的规模和方式的详细信息。今天,我将就该计划的执行情况进行更新,并介绍反映我们业绩改善和投资成果的额外股东回报方案。

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