长鑫科技宣布第五代技术平台量产，存储密度提升50%以上
长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产
推荐理由
长鑫科技作为国产存储龙头，其新一代制程量产及良率/产能数据（提升50%）直接反映国内半导体制造能力的实质性进展，对评估国产替代进度与相关产业链估值具有参考价值，建议关注。
长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产 BlockBeats 消息，9 月 20 日，在 2026 世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。 据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了 50% 以上。 基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。（澎湃）
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