三星为英伟达开发8层HBM4E，速度提升20%

深潮 TechFlow 消息，8 月 31 日，据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达 (NVDA.O) 要求开发 8 层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的 12 层、16 层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%，该产品据报将用于 NVHBM。