SK海力士启动美国40亿美元先进内存封装厂建设

深潮 TechFlow 消息，8 月 27 日，SK 海力士启动位于美国印第安纳州、投资 40 亿美元的存储中心建设；将于 2029 年下半年在印第安纳州工厂启动下一代 HBM4E 芯片的量产。SK 海力士 CEO 预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。