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韩国DRAM出口价同比暴涨401%,海力士称2027年或为内存最短缺年份

韩国DRAM 8月出口价格同比暴涨401%,海力士称明年2027年或为内存行业历史上最短缺年份

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内存行业从业者与半导体投资者应关注:DRAM出口价格暴涨与供应短缺预期直接影响三星、海力士、美光等厂商盈利及产业链公司估值,建议跟踪后续供需数据与厂商资本开支动向。

韩国DRAM 8月出口价格同比暴涨401%,海力士称明年2027年或为内存行业历史上最短缺年份 BlockBeats 消息,8 月 26 日,据韩国《朝鲜日报》报道,韩国 DRAM 出口价格持续飙升,AI 驱动的 HBM 生产正在挤压普通内存供应。数据显示,本月 1 日至 20 日,韩国 DRAM 出口单价达到每公斤 9.2183 万美元,同比上涨 401%,较 2023 年 1 月低点上涨约 12.5 倍。 高盛预计 DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大至明年的 5.9%,并认为 AI 服务器所需的 HBM 以及大容量服务器 DRAM 正在吸收有限的生产产能,导致普通 DRAM 供应进一步收紧,供应短缺可能持续至 2028 年。 TrendForce 预计,到明年底,三星、SK 海力士和美光用于 HBM 生产的晶圆投入量将占 DRAM 总晶圆投入的 30%,但 HBM 占实际 DRAM 比特供应量仅约 13%。内存厂商警告,AI 需求推动的 DRAM 和 NAND 供应紧张可能持续至 2027 年以后。SK 海力士表示,从供应端来看 2027 年可能成为「内存行业历史上最严重的短缺年份」。 原文链接 https://m.theblockbeats.info/flash/363538

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