SK海力士下一代HBM引入EMIB等先进封装技术

深潮 TechFlow 消息，8 月 24 日，SK 海力士正在为其下一代 HBM 解决方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终迈入 3D 封装时代。在 2026 年的 Hot Chips 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其 HBM 产品路线图，目前 SK 海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破 16 层堆叠的限制，未来，SK 海力士还计划通过增加 TSV 数量、提高逻辑工艺集成的 IO 速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。(金十)