长鑫科技科创板上市，DRAM产能逼近美光

长鑫存储生产用于个人电脑等的“DRAM”（reuters）

长鑫存储目前在DRAM市场拥有全球第四大份额，有分析师预测其月产能到年末将超过30万张，接近美光的水平。不过，分析师也指出，与美韩三巨头相比，长鑫存储在技术上落后3年……

中国半导体大企业长鑫存储技术（CXMT）的母公司7月27日在上海证券交易所上市。该公司用于个人电脑等的“DRAM”的产能居世界第4位，有预测称，2026年底将逼近居第3位的美国美光科技。

长鑫存储技术的母公司长鑫科技集团7月27日在上海证券交易所面向高科技新兴企业的市场“科创板”实施首次公开募股（IPO）。计划通过IPO最多融资人民币666亿元。

“产能接近美光”

DRAM是临时存储数据的存储半导体，广泛用于AI服务器、个人电脑、智能手机等产品。随着AI投资的增加，全球需求正在高涨。长鑫存储在DRAM市场拥有全球第四大份额，仅次于居首位的三星电子、第2的SK海力士等韩国企业以及第3位的美光科技。

摩根士丹利在6月的报告中预测称，长鑫存储将在2023～2028年的5年间，增强每月为38万8000张的DRAM产能（每个月可投入生产工序的晶圆数量），中国企业占整个行业的市场份额将从2023年的约18%提高至2028年的约23%。

调查公司Counterpoint Research的分析师MS Hwang于7月16日表示：“长鑫存储的月产能到年末将超过30万张，接近美光的水平”。

“技术上落后3年”

另一方面，长鑫存储在技术方面与美光等大型企业仍存在差距。半导体芯片的电路越精细，越能以同样大小的晶圆生产更多的存储芯片。因此，要衡量竞争力，不仅要看产能，显示1张晶圆能生产的存储容量的“比特输出量”也成为重要指标。

MS Hwang还指出“长鑫存储采用了比最尖端企业落后2～3代的制造技术，比特输出量与大型企业相比还有较大差距”。

三星电子、SK海力士和美光等3巨头均采用被称为“1c”的最新工序生产DRAM，而长鑫存储则处于从被称为“1a”的旧型向最新型过渡的阶段，MS Hwang表示：“技术上落后2代，时间上落后3年”。

有可能追上美韩巨头吗？

今后，长鑫存储在微细化技术方面是否有可能追赶上美韩巨头呢？关键性因素在于尖端半导体制造中使用的极紫外（EUV）光刻设备。该设备由荷兰阿斯麦（ASML）生产。

阿斯麦的EUV光刻设备对中国的出口管制正在加强。原因是美国政府针对半导体尖端技术所实施的对华出口管制。在管制加强的情况下，中国半导体制造商将通过制造设备的国产化来抗衡。

半导体分析师吉姆·汉迪 (Jim Handy)注意到的一点是，长鑫存储有来自欧洲的原DRAM制造商奇梦达（Qimonda）的技术人员，他们拥有设计和量产的经验。吉姆·汉迪表示：“拥有实际设计芯片并进行量产的经验是优势”，并指出长鑫存储今后有可能在基于国产制造设备的微细化技术方面追赶上来。

在AI投资增加的背景下，全球DRAM价格在过去一年中涨至约6倍，推高了美光等美国半导体大企业的盈利。如果长鑫存储今后通过扩大生产规模引发DRAM价格下降，或者在技术方面奋起直追，这些都将对美国半导体行业形成冲击。

日本经济新闻（中文版：日经中文网）内山瑞贵 纽约

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