SK海力士启动3D堆叠DRAM研发，布局端侧AI存储

SK海力士启动3D堆叠DRAM研发，布局端侧AI存储新技术 BlockBeats 消息，7 月 24 日，SK 海力士正在加速开发被视为面向端侧 AI 的下一代 DRAM 技术——3D 堆叠 DRAM。据悉，公司近期已启动人才招聘计划，并计划与美国客户合作，共同设计相关技术。 3D 堆叠 DRAM 设计是一项下一代半导体技术，即将存储芯片直接堆叠在逻辑半导体（系统半导体）之上。业内预计，在生成式 AI 之后的物理 AI 时代，这类技术将成为端侧 AI 设备的核心半导体解决方案。 SK 海力士近期正通过位于美国圣何塞的美洲法人招聘 3D 堆叠 DRAM 设计工程师，以推进相关技术研发。 点击下方原文链接，加入动察 Beating · 飞书 AI 新闻渠道，7×24 小时不间断监测全球 AI 热点与新闻。 原文链接 https://m.theblockbeats.info/flash/357775