Citrini预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB，供需紧张周期或持续
Citrini：预测 2030 年全球 DRAM 缺口达 28.7EB 记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
推荐理由
这是一份来自专业研究机构的DRAM供需预测，数据详实，对半导体和AI硬件投资者有重要参考价值。建议关注DRAM产业链相关标的，留意供需格局变化带来的投资机会。
深潮 TechFlow 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18%扩大至 25%左右。报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。(金十)
更进一步：量化金融体系
看懂新闻只是起点——沿量化金融路径，把它变成能交付的工程能力