Tower半导体斥资6000亿日元扩产光通信芯片

IT之家 7 月 15 日消息，以色列晶圆代工企业 Tower Semiconductor（高塔半导体）当地时间昨日宣布，计划在日本进行总价值约 6000 亿日元的产能建设投资（IT之家注：现汇率约合 250.84 亿元人民币）。这笔投资瞄准硅光子、硅锗、大规模先进光学封装等光通信领域的商机。日本政府将根据《经济安全保障推进法》提供至多约 1600 亿日元的补助（现汇率约合 66.89 亿元人民币）。Tower 计划在其位于富山县鱼津市的既有晶圆厂 Fab 7 旁再建设一座 12 英寸生产设施，使其硅光子学和硅锗产能提升数倍，以满足客户对新兴人工智能和数据中心应用日益增长的需求并推动下一代光连接技术的发展。同时，Tower 将把其位于新潟县妙高市的原 Fab 6 工厂改造为 12 英寸硅光子产能及先进封装基地，此举将大幅提升 12 英寸硅光子产能预计 2027Q4 全面投产。