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SK海力士拟投80万亿韩元建NAND新厂，2029年启动
SK 海力士：计划 2029 年前投资 80 万亿韩元建设新 NAND 产线
深潮 TechFlow 消息，7 月 02 日，SK 海力士周四表示，公司计划投资 80 万亿韩元（约 514.6 亿美元），建设一座新的 NAND 闪存芯片工厂，新厂预计将于 2029 年启动，以应对由 AI 热潮推动的存储芯片短缺。根据在一场由公司 CEO 和韩国总统李在明出席的活动上公布的规划，该公司 CEO 表示，SK 海力士计划于明年在韩国清州市启动该新工厂 M17 的建设。此外，这家芯片制造商还计划再投入 20 万亿韩元，在清州新建一座芯片封装工厂，预计于 2027 年底前完工。(金十)
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