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高盛上调2027年HBM价格预期超3倍,DDR5涨价放缓
高盛上调 2027 年 HBM 价格预期超 3 倍,DDR5 涨价加速度放缓
推荐理由
高盛上调HBM价格预期超3倍,对存储芯片行业影响重大,建议关注三星及HBM产业链相关标的。
深潮 TechFlow 消息,据潮向研究,高盛 6月 30 日发布 DRAM 情绪指数月报,9 个指标中 7 个正向,情绪维持“适度积极”。DDR5 16Gb 现货自 5月 1 日以来涨 20%,较合约价溢价 25%;DDR4 8Gb 涨11%,溢价 45%。韩国 5月 DRAM 出口额创历史新高,同比增 370%。南亚科技 5 月营收同比增 730%,连续 10 个月三位数增长。三星 DRAM ASP 涨价加速度正在放缓,高盛估算 2026 年二季度 ASP 环比涨约 46%,较一季度的 93%显著下降 48 个百分点。中国大陆手机 5 月出货同比增 19%,连续两个月正增长,但高盛预警二季度出货可能因存储涨价抬升整机成本而环比降 14%。高盛将 2027 年三星 HBM 价格增长预期从+14%大幅上调至+44%,理由是传统 DRAM 紧平衡正通过价差传导至 HBM 年度议价,且存在进一步上行风险。三星电子维持买入评级,普通股目标价 48 万韩元,优先股 36 万韩元。
更进一步:量化金融体系
看懂新闻只是起点——沿量化金融路径,把它变成能交付的工程能力